SK海力士准备将2.5D Fan-out封装技术集成到下一代DRAM中

发布日期：2024-01-08 17:43 点击次数：92

业内人士透露，SK海力士正准备将2.5D Fan-out封装技术集成到继HBM之后的下一代DRAM中。由于今年在高带宽内存（HBM）领域的成功表现，SK海力士对下一代芯片技术领域充满信心，似乎正在加紧努力，通过开发“专业”内存产品来确保技术领先地位。